动态二次离子质谱分析D-SIMS苏州天标

动态二次离子质谱分析（D-SIMS）
1. 飞行时间二次离子质谱技术

二次离子质谱技术（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一种非常灵敏的表面分析技术，通过用一次离子激发样品表面，打出较其微量的二次离子，根据二次离子的质量来测定元素种类，具有较高分辨率和检出限的表面分析技术。D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三维样品的元素结构信息，其特点在二次离子来自表面单个原子层（1nm以内），仅带出表面的化学信息，具有分析区域小、分析深度浅和检出限高的特点，广泛应用于物理，化学，微电子，生物，制药，空间分析等工业和研究方面。 

2. 动态二次离子质谱分析（D-SIMS）可为客户解决的产品质量问题

（1）当产品表面存在微小的异物，而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析，可选择D-SIMS进行分析，D-SIMS能分析10nm直径的异物成分。

（2）当产品表面膜层太薄，无法使用常规测试进行膜厚测量，可选择D-SIMS进行分析，利用D-SIMS测量1nm的**薄膜厚。

（3）当产品表面有多层薄膜，需测量各层膜厚及成分，利用D-SIMS能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。

（4）当膜层与基材截面出现分层等问题，但是未能观察到明显的异物痕迹，可使用D-SIMS分析表面**痕量物质成分，以确定截面是否存在外来污染，检出限高达ppb级别。

（5）掺杂工艺中，掺杂元素的含量一般是在ppm-ppb之间，且深度可达几十微米，使用常规手段无法准确测试掺杂元素从表面到心部的浓度分布，利用D-SIMS可以完成这方面参数测试。

3. 动态二次离子质谱分析（D-SIMS）注意事项

（1）样品较大规格尺寸为1cm,1cm,0.5cm，当样品尺寸过大需切割取样，样品表面必须平整。

（2）取样的时候避免手和取样工具接触到需要测试的位置，取下样品后使用真空包装或其他能隔离外界环境的包装， 避免外来污染影响分析结果。

（3）D-SIMS测试的样品不受导电性的限制，绝缘的样品也可以测试。

（4）D-SIMS元素分析范围H-U，检出限ppb级别。